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硅的簡(jiǎn)介2

發(fā)表時(shí)間: 2014-07-17 本站關(guān)鍵詞:組件回收 - 太陽能組件回收 - 拆卸組件回收 - 光伏組件回收 點(diǎn)擊數(shù):2741

3理化性質(zhì)編輯

物理性質(zhì)

硅原子結(jié)構(gòu)三維圖

硅原子結(jié)構(gòu)三維圖[8]

無定形硅和晶體硅兩種同素異形體。晶體硅為灰黑色,無定形硅為黑色,
密度2.32-2.34克/立方厘米,熔點(diǎn)1410℃,沸點(diǎn)2355℃,晶體硅屬于原子晶體。不溶于水、硝酸和鹽酸,溶于氫氟酸和堿液。硬而有金屬光澤。[9]
系列
ⅣA族[9]
3
元素分區(qū)
p區(qū)
密度
2328.3 kg/m³
常見化合價(jià)
+4
6.5
25.7%
190GPa(有些文獻(xiàn)中為這個(gè)值)
2.33g/cm3(18℃)
熔點(diǎn)
1687K(1414℃)[10]
沸點(diǎn)
3173K(2900℃)[10]
摩爾體積
12.06×10-6m³/mol[10]
384.22kJ/mol[10]
熔化熱
50.55 kJ/mol[10]
4.77Pa(1683K)[10]
間接帶隙
1.1eV (室溫)
電導(dǎo)率
2.52×10-4 /(米歐姆)[10]
比熱
700 J/(kg·K)[10]
原子核外電子排布:1s2 2s22p6 3s23p2;
晶胞類型:立方金剛石型;[11]
晶胞參數(shù):20℃下測(cè)得其晶胞參數(shù)a=0.543087nm;
顏色和外表: 深灰色、帶藍(lán)色調(diào);
采用納米壓入法測(cè)得單晶硅(100)的E為140~150GPa;
電導(dǎo)率:硅的電導(dǎo)率與其溫度有很大關(guān)系,隨著溫度升高,電導(dǎo)率增大,在1480℃左右達(dá)到較大,而溫度超過1600℃后又隨溫度的升高而減小。
電負(fù)性
1.90(鮑林標(biāo)度)[10]
熱導(dǎo)率
148 W/(m·K)[10]
786.5 kJ/mol[10]
第二電離能
1577.1 kJ/mol[10]
第三電離能
3231.6 kJ/mol[10]
第四電離能
4355.5 kJ/mol[10]
第五電離能
16091 kJ/mol[10]
第六電離能
19805 kJ/mol[10]
第七電離能
23780 kJ/mol[10]
第八電離能
29287 kJ/mol[10]
第九電離能
33878 kJ/mol[10]
第十電離能
38726 kJ/mol[10]
同位素:
符號(hào)
Z(p
N(n
質(zhì)量(u
相對(duì)豐度
相對(duì)豐度的變化量
22Si
14
8
22.03453(22)#
29(2)ms
0+

  

  
23Si
14
9
23.02552(21)#
42.3(4)ms
3/2+#

  

  
24Si
14
10
24.011546(21)
140(8)ms
0+

  

  
25Si
14
11
25.004106(11)
220(3)ms
5/2+

  

  
26Si
14
12
25.992330(3)
2.234(13)s
0+

  

  
27Si
14
13
26.98670491(16)
4.16(2)s
5/2+

  

  
28Si
14
14
27.9769265325(19)
穩(wěn)定
0+
0.92223(19)
0.92205-0.92241
29Si
14
15
28.976494700(22)
穩(wěn)定
1/2+
0.04685(8)
0.04678-0.04692
30Si
14
16
29.97377017(3)
穩(wěn)定
0+
0.03092(11)
0.03082-0.03102
31Si
14
17
30.97536323(4)
157.3(3)min
3/2+

  

  
32Si
14
18
31.97414808(5)
170(13)a
0+

  

  
33Si
14
19
32.978000(17)
6.18(18)s
(3/2+)

  

  
34Si
14
20
33.978576(15)
2.77(20) s
0+

  

  
35Si
14
21
34.98458(4)
780(120) ms
7/2-#

  

  
36Si
14
22
35.98660(13)
0.45(6)s
0+

  

  
37Si
14
23
36.99294(18)
90(60)ms
(7/2-)#

  

  
38Si
14
24
37.99563(15)
90# ms [>1 µs]
0+

  

  
39Si
14
25
39.00207(36)
47.5(20) ms
7/2-#

  

  
40Si
14
26
40.00587(60)
33.0(10) ms
0+

  

  
41Si
14
27
41.01456(198)
20.0(25) ms
7/2-#

  

  
42Si
14
28
42.01979(54)#
13(4) ms
0+

  

  
43Si
14
29
43.02866(75)#
15# ms [>260 ns]
3/2-#

  

  
44Si
14
30
44.03526(86)#
10# ms
0+

  

  
備注:1.畫上#號(hào)的數(shù)據(jù)代表沒有經(jīng)過實(shí)驗(yàn)的證明,只是理論推測(cè)而已,而用括號(hào)括起來的代表數(shù)據(jù)不確定性。
2.有三種天然的穩(wěn)定同位素Si(92.2%)、Si(4.7%)和Si(3.1%),還有質(zhì)量數(shù)為25、26、27、31和32的人工放射性同位素。[2]
3.原子質(zhì)量單位: 28.0855,共有23種同位素,其中有3種同位素是穩(wěn)定的。

化學(xué)性質(zhì)

Si的熱力學(xué)數(shù)據(jù)(來源于JANAF表格)

Si的熱力學(xué)數(shù)據(jù)(來源于JANAF表格)[12]

硅有明顯的非金屬特性,可以溶于堿金屬氫氧化物溶液中,產(chǎn)生(偏)硅酸鹽和氫氣。[13]
硅原子位于元素周期表第IV主族,它的原子序數(shù)為Z=14,核外有14個(gè)電子。電子在原子核外,按能級(jí)由低硅原子到高,由里到外,層層環(huán)繞,這稱為電子的殼層結(jié)構(gòu)。硅原子的核外電子第一層有2個(gè)電子,第二層有8個(gè)電子,達(dá)到穩(wěn)定態(tài)。較外層有4個(gè)電子即為價(jià)電子,它對(duì)硅原子的導(dǎo)電性等方面起著主導(dǎo)作用。
正因?yàn)楣柙佑腥绱私Y(jié)構(gòu),所以有其一些特殊的性質(zhì):較外層的4個(gè)價(jià)電子讓硅原子處于亞穩(wěn)定結(jié)構(gòu),這些價(jià)電子使硅原子相互之間以共價(jià)鍵結(jié)合,由于共價(jià)鍵比較結(jié)實(shí),硅具有較高的熔點(diǎn)和密度;化學(xué)性質(zhì)比較穩(wěn)定,常溫下很難與其他物質(zhì)(除氟化氫和堿液以外)發(fā)生反應(yīng);硅晶體中沒有明顯的自由電子,能導(dǎo)電,但導(dǎo)電率不及金屬,且隨溫度升高而增加,具有半導(dǎo)體性質(zhì)。[9]
加熱下能同單質(zhì)的鹵素、氮、碳等非金屬作用,也能同某些金屬如Mg、Ca、Fe、Pt等作用。生成硅化物。不溶于一般無機(jī)酸中,可溶于堿溶液中,并有氫氣放出,形成相應(yīng)的堿金屬硅酸鹽溶液,于赤熱溫度下,與水蒸氣能發(fā)生作用。[10]
分類:純凈物、單質(zhì)、非金屬單質(zhì)。
(1)與單質(zhì)反應(yīng):
Si + O₂ == SiO₂,條件:加熱
Si + 2F₂ == SiF₄
Si + 2Cl₂ == SiCl₄,條件:高溫
(2)高溫真空條件下可以與某些氧化物反應(yīng):
2MgO + Si=高溫真空 =Mg(g)+SiO₂(硅熱還原法煉鎂)
(3)與酸反應(yīng):
只與氫氟酸反應(yīng):Si + 4HF == SiF₄ + 2H₂
(4)與堿反應(yīng):Si + 2OH-+ H₂O == SiO₃2-+ 2H₂(如NaOH,KOH)
注意:硅、鋁是既能和酸反應(yīng),又能和堿反應(yīng),放出氫氣的單質(zhì)。
相關(guān)方程式:
Si+O₂=高溫= SiO₂
Si + 2OH- + H₂O == SiO₃2-+ 2H₂↑
Si+2F₂== SiF₄
Si+4HF== SiF₄+2H₂
SiO₂ + 2OH-== SiO₃2-+ H₂O
SiO₃2- + 2NH₄++ H₂O == H₄SiO₄↓ + 2NH₃↑
SiO₃2- + CO₂ + 2H₂O == H₄SiO₃↓+ CO₃2-
SiO₃2- + 2H+== H₂SiO₃↓
SiO₃2-+2H++H₂O == H₄SiO₄↓
H₄S
硅原子結(jié)構(gòu)二維圖

硅原子結(jié)構(gòu)二維圖[8]

iO₄ == H₂SiO₃ + H₂O
3SiO₃2-+ 2Fe3+== Fe₂(SiO₃)₃
3SiO₃2- +2Al3+==Al₂(SiO₃)₃
Na₂CO₃ + SiO₂ =高溫= Na₂SiO₃ + CO₂
相關(guān)化合物:
二氧化硅、硅膠硅酸鹽、硅酸、原硅酸、硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、四氯硅烷、
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